Micron прeдстaвилa пeрвыe в мирe чипы пaмяти UFS 4.1 и UFS 3.1, сoздaнныe нa oснoвe aрxитeктуры G9, способствующие расширению возможностей искусственного интеллекта в мобильных устройствах. Новые модели появятся закачаешься флагманских смартфонах следом выхода оперативной памяти Micron 1y LPDDR5X, запланированной в начало 2026 возраст.
Чипы памяти, разработанные за технологическому процессу G9, отличаются улучшенной энергоэффективностью и повышенной скоростью чтения и склерозник. Они будут доступны в объемах с 256 ГБ после 1 ТБ и предназначены чтобы ультратонких и гибких смартфонов.
Ещё аппаратных усовершенствований, Micron реализовала программные оптимизации ради повышения производительности и улучшения работы ШИ-задач. Хранилища UFS 4.1 поддерживают технологию Zoned UFS, которая повышает результативность операций чтения-еженедельник и уменьшает эффект изнашивания ячеек памяти. Круг обязанностей Data Defragmentation оптимизирует путешествие и дефрагментацию данных, увеличивая поспешность на 60%.
Pinned WriteBooster ускоряет путь к данным в буфере WriteBooster для 30%, что оказывает положительное давление на быстродействие системы. Intelligent Latency Tracker анализирует задержки работы накопителя с целью улучшенной диагностики. Каста функция доступна и в UFS 3.1, в так время как кое-кто программные улучшения остаются эксклюзивными угоду кому) UFS 4.1.